Un nouveau boîtier pour les Mosfet automobiles de Toshiba

Les derniers transistors de puissance de Toshiba, à savoir la paire de Mosfet 40V pour l’automobile référencée XPJR6604PB et XPJ1R004PB, se distinguent par leur boîtier. Il s’agit en effet du tout nouveau S-TOGL (small transistor outline gull-wing leads), qui présente deux avantages. Le premier réside dans l’absence de plots de connexion interne, gage de fiabilité. Le second découle de sa structure multibroche pour les fils de source, qui réduit la résistance de manière significative. Le tout dans un encombrement minimal, ici de 7×8,44×2,3mm. La combinaison de ce boîtier S-TOGL et du process U-MOS IX-H du Japonais a permis de diminuer de 11% la résistance à l’état passant du XPJR6604PB, à 0,66mΩ, par rapport au précédent TKR74F04PB, avec un encombrement réduit de 55%. Conformes AEC-Q101, les XPJR6604PB et XPJ1R004PB sont caractérisés par un courant de drain continu de 200 et 160A et un courant pulsé de 600 et 480A, respectivement.