Les Mosfet SiC 2200V de Toshiba visent les onduleurs à deux niveaux

Toshiba cible les applications 1500V telles que les onduleurs photovoltaïques, les chargeurs de véhicules électriques, le stockage d’énergie ou encore la conversion DC-DC avec son nouveau module à deux transistors Mosfet en carbure de silicium (SiC) référencé MG250YD2YMS3. Ce double Mosfet 2200V intègre une diode à barrière Schottky et supporte un courant de drain de 250A en continu et de 500A en impulsions, avec une tension d’isolation évaluée à 4000V_RMS. Selon le fabricant, le MG250YD2YMS3 convient notamment aux onduleurs à deux niveaux remplaçant les topologies à trois niveaux à base de transistors IGBT.