Toshiba a ajouté une quatrième broche à ses transistors Mosfet en carbure de silicium (SiC) de troisième génération. Référencés TWxxxZxxxC, ces nouveaux venus sont encapsulés dans un boîtier TO-247-4L(X) disposant d’une broche de connexion Kelvin, laquelle réduit les effets de l’inductance parasite de la source et améliore donc la commutation rapide. A titre de comparaison, le TW045Z120C réduit les pertes à l’activation (turn-on) de 40% et celles à la coupure (turn-off) de 34% par rapport à l’actuel TW045N120C.
Les TWxxxZxxxC comprennent cinq modèles 650V et cinq autres caractérisés à 1200V, avec des courants de drain continus culminant à 100A. Ils se destinent à un large panel d’applications allant de l’alimentation de serveurs à la recharge de véhicules électriques en passant par les équipements photovoltaïques.
